一种离子注入调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410662340.0

申请日：

2014-11-19

公开(公告)号：

CN104361967B

公开(公告)日：

2015-02-18

发明(设计)人：

庄彤丁明建李杰成李锦添杨俊峰

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市海珠区大干围南华西企业集团公司第五工业区编10号楼第五层西面

IPC主分类号：

H01C17075

IPC分类号：

代理机构：

广州圣理华知识产权代理有限公司 44302

代理人：

李唐明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-07	授权	授权
2015-03-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101602355308 IPC(主分类):H01C 17/075 专利申请号:2014106623400 申请日:20141119
2015-02-18	公开	公开
2021-03-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01C 17/075 变更事项:专利权人变更前:广州天极电子科技有限公司变更后:广州天极电子科技股份有限公司变更事项:地址变更前:510000 广东省广州市海珠区大干围南华西企业集团公司第五工业区编10号楼第五层西面变更后:511453 广东省广州市南沙区东涌镇昌利路六街6号

共 50 条

[1]

一种调控氮化钽薄膜电阻阻值的方法 [P].

庄彤 ;

杨俊锋 ;

李杰成 ;

庄严 .

中国专利 :CN103971874A ,2014-08-06

[2]

一种氮化钽薄膜电阻器阻值的调整方法 [P].

杨俊锋 ;

李杰成 ;

梁家伟 ;

陈炜豪 ;

赖辉信 ;

庄彤 .

中国专利 :CN109637766A ,2019-04-16

[3]

一种可调控薄层电阻率的氮化钽薄膜的制备方法 [P].

唐云俊 ;

王昱翔 .

中国专利 :CN114574825A ,2022-06-03

[4]

一种氮化钽薄膜生长方法及氮化钽薄膜 [P].

夏洋 ;

薛翔宇 ;

明帅强 ;

屈芙蓉 ;

何萌 ;

赵丽莉 ;

吴非 ;

夏天 .

中国专利 :CN120888889A ,2025-11-04

[5]

氮化钽片式薄膜电阻器及其制造方法 [P].

刘剑林 ;

严勇 ;

罗向阳 ;

朱沙 ;

杨舰 ;

张弦 ;

史天柯 ;

刘金鑫 ;

李吉云 ;

韩玉成 .

中国专利 :CN102800448B ,2012-11-28

[6]

一种高效氮化钽薄膜电阻及其制备方法 [P].

李海鸥 ;

牟凯瑞 ;

刘兴鹏 ;

杨曌 ;

沓世我 .

中国专利 :CN115020052A ,2022-09-06

[7]

一种改善金刚石基氮化钽薄膜电阻性能的方法 [P].

魏俊俊 ;

刘宇伦 ;

韩啸松 ;

尹育航 ;

周浩钧 ;

胡辉旺 ;

李成明 .

中国专利 :CN120758842A ,2025-10-10

[8]

一种氮化钽埋嵌式薄膜电阻晶相调控及制备方法 [P].

徐永兵 ;

潘正灿 ;

严羽 .

中国专利 :CN117637270A ,2024-03-01

[9]

一种氮化钽薄膜的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110783049A ,2020-02-11

[10]

一种氮化钽薄膜制备方法 [P].

茆同海 ;

侯汉成 ;

刘坤明 ;

宋嘉铭 .

中国专利 :CN118222973A ,2024-06-21

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