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一种制备高电阻率碳化硅材料的方法及碳化硅材料
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511256014.4
申请日：
2025-09-04
公开(公告)号：
CN120738623A
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
刘赋灵
余盛杰
廖家豪
申请人：
湖南德智新材料股份有限公司
申请人地址：
412000 湖南省株洲市天元区金马路156号湖南德智半导体产业园1号厂房
IPC主分类号：
C23C16/32
IPC分类号：
H01L21/02
C23C16/455
C23C16/56
C23C16/01
代理机构：
北京布瑞知识产权代理有限公司 11505
代理人：
周坤
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-03 | 公开 | 公开 |
| 2025-12-12 | 授权 | 授权 |
| 2025-10-24 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/32申请日:20250904 |