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存储单元结构及其制造方法、存储单元阵列结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202310921681.4
申请日：
2023-07-24
公开(公告)号：
CN119403121B
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
唐怡
申请人：
长鑫科技集团股份有限公司
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-02-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230724 |
| 2025-02-07 | 公开 | 公开 |
| 2025-10-03 | 授权 | 授权 |