半导体器件结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310814399.6

申请日：

2023-07-03

公开(公告)号：

CN119300344B

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

尹春山

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	授权	授权
2025-01-10	公开	公开
2025-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230703

共 50 条

[1]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

尹春山 .

中国专利 :CN119300344A ,2025-01-10

[2]

半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN113497124A ,2021-10-12

[3]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

孙正庆 ;

金星 .

中国专利 :CN114256133B ,2024-09-20

[4]

半导体器件、半导体结构及其制造方法 [P].

孙正庆 ;

金星 .

中国专利 :CN114256133A ,2022-03-29

[5]

半导体结构、半导体器件及其制造方法 [P].

刘志拯 .

中国专利 :CN120224682A ,2025-06-27

[6]

半导体器件的结构及其制造方法 [P].

黄文信 ;

张国华 .

中国专利 :CN1476102A ,2004-02-18

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

杜建 ;

李佳佳 ;

方浩 .

中国专利 :CN102479677A ,2012-05-30

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119967892A ,2025-05-09

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

林宏穗 ;

赖汉昭 ;

卢道政 .

中国专利 :CN1217419C ,2003-10-08

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

张须坤 ;

朱春林 ;

姜克 ;

吴泽宇 ;

左慧玲 .

中国专利 :CN119947212A ,2025-05-06

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