半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010264968.0

申请日：

2020-04-07

公开(公告)号：

CN113497124A

公开(公告)日：

2021-10-12

发明(设计)人：

刘志拯

申请人：

申请人地址：

230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L2978 H01L21266 H01L21265 H01L27108

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司 11438

代理人：

孙宝海;袁礼君

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20200407
2021-10-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

尹春山 .

中国专利 :CN119300344A ,2025-01-10

[2]

半导体器件结构及其制造方法 [P].

尹春山 .

中国专利 :CN119300344B ,2025-09-26

[3]

半导体器件及其制造方法 [P].

稻叶聪 .

中国专利 :CN100468733C ,2006-04-26

[4]

半导体器件及其制造方法 [P].

杜建 ;

李佳佳 ;

方浩 .

中国专利 :CN102479677A ,2012-05-30

[5]

半导体器件及其制造方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119967892A ,2025-05-09

[6]

半导体器件及其制造方法 [P].

长谷川尚 ;

小山内润 ;

冈本隆幸 .

中国专利 :CN100341140C ,2003-09-03

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

朴賛光 ;

高堯焕 .

中国专利 :CN1152800A ,1997-06-25

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

洪坰国 ;

千大焕 ;

李钟锡 ;

郑永均 ;

姜修槟 .

中国专利 :CN104733528A ,2015-06-24

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

林宏穗 ;

赖汉昭 ;

卢道政 .

中国专利 :CN1217419C ,2003-10-08

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

张须坤 ;

朱春林 ;

姜克 ;

吴泽宇 ;

左慧玲 .

中国专利 :CN119947212A ,2025-05-06

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