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一种基于二氧化硅隔离的硅基单片集成光电耦合器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510922383.6
申请日
:
2025-07-04
公开(公告)号
:
CN120769582A
公开(公告)日
:
2025-10-10
发明(设计)人
:
范洋
徐开凯
申请人
:
电子科技大学
申请人地址
:
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
IPC主分类号
:
H10F55/255
IPC分类号
:
代理机构
:
电子科技大学专利中心 51203
代理人
:
闫树平
法律状态
:
公开
国省代码
:
江苏省 常州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-10-10
公开
公开
2025-10-28
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10F 55/255申请日:20250704
共 50 条
[1]
硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构
[P].
李岩
论文数:
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李岩
;
张岩
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张岩
;
康佳
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康佳
.
中国专利
:CN204347303U
,2015-05-20
[2]
一种基于二氧化硅光波导的三维边缘耦合器
[P].
孙小强
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孙小强
;
王曼卓
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王曼卓
;
岳建波
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岳建波
;
吴远大
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吴远大
;
张大明
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张大明
.
中国专利
:CN114924348A
,2022-08-19
[3]
一种无掺杂硅基二氧化硅波导
[P].
冯丽爽
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冯丽爽
;
王俊杰
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王俊杰
;
刘惠兰
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刘惠兰
.
中国专利
:CN103293597A
,2013-09-11
[4]
基于钯/二氧化钛/二氧化硅/硅异质结的氢气探测器
[P].
凌翠翠
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凌翠翠
;
韩治德
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韩治德
;
杜永刚
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杜永刚
;
薛庆忠
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薛庆忠
;
阎子峰
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0
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阎子峰
.
中国专利
:CN103558253B
,2014-02-05
[5]
基于硅-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-硅的多级非易失性存储器装置及其操作方法
[P].
文卡塔拉曼·普拉巴卡尔
论文数:
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文卡塔拉曼·普拉巴卡尔
;
克里希纳斯瓦米·拉姆库马尔
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克里希纳斯瓦米·拉姆库马尔
;
维尼特·阿格拉瓦尔
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维尼特·阿格拉瓦尔
;
隆·欣
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隆·欣
;
斯瓦蒂拉哈·萨哈
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斯瓦蒂拉哈·萨哈
;
桑塔努·库马尔·萨曼塔
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桑塔努·库马尔·萨曼塔
;
迈克尔·阿蒙森
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迈克尔·阿蒙森
;
拉温德拉·卡普雷
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拉温德拉·卡普雷
.
中国专利
:CN114730603A
,2022-07-08
[6]
硅基二氧化硅波导和探测器垂直耦合结构及其制备方法
[P].
李岩
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李岩
;
张岩
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张岩
;
康佳
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康佳
.
中国专利
:CN104330858A
,2015-02-04
[7]
一种基于硅-二氧化硅-氮化硅结构的集成偏振分束器
[P].
王嘉源
论文数:
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王嘉源
.
中国专利
:CN113219587A
,2021-08-06
[8]
一种硅上二氧化硅基的混合集成光电子芯片及其制作方法
[P].
周亮
论文数:
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周亮
;
曹小鸽
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曹小鸽
;
余向红
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余向红
.
中国专利
:CN103066148B
,2013-04-24
[9]
一种改性二氧化硅的方法、改性二氧化硅及应用
[P].
张立群
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张立群
;
韩冬礼
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韩冬礼
;
肖亚轲
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肖亚轲
;
叶欣
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叶欣
;
王益庆
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王益庆
;
吴晓辉
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吴晓辉
.
中国专利
:CN111454591A
,2020-07-28
[10]
抗辐射硅基二氧化硅光波导器件
[P].
崔鹏伟
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崔鹏伟
;
王玥
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王玥
;
张家顺
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张家顺
;
安俊明
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安俊明
.
中国专利
:CN115657201A
,2023-01-31
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