共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410362011.8
申请日：
2024-03-27
公开(公告)号：
CN120727574A
公开(公告)日：
2025-09-30
发明(设计)人：
宋超
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号：
H01L21/321
IPC分类号：
H01L21/3213
H01L21/67
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
彭瑞欣;王婷
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省
宣城市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-09-30 | 公开 | 公开 |
| 2025-10-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/321申请日:20240327 |