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应用于半导体膜层的刻蚀方法及半导体工艺设备
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410405376.4
申请日：
2024-04-03
公开(公告)号：
CN118248626A
公开(公告)日：
2024-06-25
发明(设计)人：
吉龙
王京
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L21/67
H01L21/3213
H01L21/8238
代理机构：
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人：
彭瑞欣;王婷
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240403 |
| 2024-06-25 | 公开 | 公开 |