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SiC层刻蚀方法及半导体工艺设备
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410304208.6
申请日：
2024-03-15
公开(公告)号：
CN120709140A
公开(公告)日：
2025-09-26
发明(设计)人：
宁浩森
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号：
H01L21/306
IPC分类号：
H01L21/308
代理机构：
北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315
代理人：
刘亚岐
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-09-26 | 公开 | 公开 |
| 2025-10-17 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/306申请日:20240315 |