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一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411751862.8
申请日：
2024-12-02
公开(公告)号：
CN119335822B
公开(公告)日：
2025-09-30
发明(设计)人：
芮定海 张利斌 韦亚一 粟雅娟
申请人：
中国科学院微电子研究所
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
IPC主分类号：
G03F7/20
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
柳虹
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
北京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20241202
2025-09-30 授权 授权
2025-01-21 公开 公开
共 50 条
[1]
一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机 [P]. 
芮定海 ;
张利斌 ;
韦亚一 ;
粟雅娟 .
中国专利 :CN119335822A ,2025-01-21
[2]
一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机 [P]. 
芮定海 ;
张利斌 ;
韦亚一 ;
粟雅娟 .
中国专利 :CN119335823B ,2025-11-11
[3]
一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机 [P]. 
芮定海 ;
张利斌 ;
韦亚一 ;
粟雅娟 .
中国专利 :CN119335823A ,2025-01-21
[4]
一种光刻工艺套刻误差的补偿方法、装置及光刻机 [P]. 
芮定海 ;
张利斌 ;
韦亚一 ;
粟雅娟 .
中国专利 :CN120686546A ,2025-09-23
[5]
套刻误差补偿方法、装置和光刻机 [P]. 
芮定海 ;
张利斌 ;
韦亚一 ;
粟雅娟 .
中国专利 :CN120779680A ,2025-10-14
[6]
一种光刻机套刻误差补偿方法、装置、系统和介质 [P]. 
芮定海 ;
韦亚一 ;
张利斌 .
中国专利 :CN120559952A ,2025-08-29
[7]
套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质 [P]. 
曾健忠 .
中国专利 :CN113777893A ,2021-12-10
[8]
套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质 [P]. 
曾健忠 .
中国专利 :CN113777893B ,2024-02-09
[9]
光刻机的套刻误差校正方法及系统、光刻机 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN112445077B ,2021-03-05
[10]
套刻误差补偿方法及光刻曝光方法 [P]. 
田范焕 ;
梁时元 ;
贺晓彬 ;
李亭亭 ;
杨涛 ;
刘金彪 .
中国专利 :CN114518693A ,2022-05-20
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