一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411751863.2

申请日：

2024-12-02

公开(公告)号：

CN119335823B

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

芮定海张利斌韦亚一粟雅娟

申请人：

中国科学院微电子研究所

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所

IPC主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

柳虹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20241202
2025-11-11	授权	授权
2025-01-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机 [P].

芮定海 ;

张利斌 ;

韦亚一 ;

粟雅娟 .

中国专利 :CN119335823A ,2025-01-21

[2]

一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机 [P].

芮定海 ;

张利斌 ;

韦亚一 ;

粟雅娟 .

中国专利 :CN119335822A ,2025-01-21

[3]

一种光刻工艺套刻误差补偿方法、装置及光刻机 [P].

芮定海 ;

张利斌 ;

韦亚一 ;

粟雅娟 .

中国专利 :CN119335822B ,2025-09-30

[4]

一种光刻工艺套刻误差的补偿方法、装置及光刻机 [P].

芮定海 ;

张利斌 ;

韦亚一 ;

粟雅娟 .

中国专利 :CN120686546A ,2025-09-23

[5]

套刻误差补偿方法、装置和光刻机 [P].

芮定海 ;

张利斌 ;

韦亚一 ;

粟雅娟 .

中国专利 :CN120779680A ,2025-10-14

[6]

一种光刻机套刻误差补偿方法、装置、系统和介质 [P].

芮定海 ;

韦亚一 ;

张利斌 .

中国专利 :CN120559952A ,2025-08-29

[7]

套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质 [P].

曾健忠 .

中国专利 :CN113777893A ,2021-12-10

[8]

套刻误差的补偿方法、补偿装置、光刻机及存储介质 [P].

曾健忠 .

中国专利 :CN113777893B ,2024-02-09

[9]

光刻机的套刻误差校正方法及系统、光刻机 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN112445077B ,2021-03-05

[10]

套刻误差补偿方法及光刻曝光方法 [P].

田范焕 ;

梁时元 ;

贺晓彬 ;

李亭亭 ;

杨涛 ;

刘金彪 .

中国专利 :CN114518693A ,2022-05-20

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