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半导体器件及版图结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111564844.5
申请日：
2021-12-20
公开(公告)号：
CN116314173B
公开(公告)日：
2025-10-03
发明(设计)人：
唐力
陈乘
汪玉霞
姜伟
徐静
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10D89/10
IPC分类号：
H10D84/85
H10D62/10
H01L23/528
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-03 | 授权 | 授权 |