半导体终端结构、其制造方法和具有其的功率器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410388108.6

申请日：

2024-03-29

公开(公告)号：

CN120751748A

公开(公告)日：

2025-10-03

发明(设计)人：

李蓝星秦博吴海平

申请人：

比亚迪半导体股份有限公司

申请人地址：

518119 广东省深圳市大鹏新区葵涌街道延安路1号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/60 H10D30/01

代理机构：

北京景闻知识产权代理有限公司 11742

代理人：

卢春燕

法律状态：

公开

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-03	公开	公开
2025-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20240329

共 50 条

[1]

半导体结构、具有其的半导体器件和用于制造其的方法 [P].

M.普拉佩特 ;

H-J.舒尔策 .

中国专利 :CN103426905A ,2013-12-04

[2]

功率半导体器件、其终端结构、掩膜版和制备方法 [P].

曾丹 ;

刘勇强 ;

史波 ;

肖婷 ;

敖利波 ;

陈道坤 .

中国专利 :CN110534556B ,2019-12-03

[3]

半导体器件结构和其制造方法 [P].

黃敬源 ;

吴芃逸 .

中国专利 :CN112789733B ,2021-05-11

[4]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

周鸣涛 ;

禹小军 .

中国专利 :CN119300440A ,2025-01-10

[5]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

龚轶 ;

刘伟 ;

毛振东 ;

徐真逸 .

中国专利 :CN113937149A ,2022-01-14

[6]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

高文玉 ;

孙娜 ;

陈智勇 .

中国专利 :CN106803515A ,2017-06-06

[7]

半导体功率器件的终端结构及其制造方法 [P].

周鸣涛 ;

禹小军 .

中国专利 :CN119300440B ,2025-10-10

[8]

半导体器件的终端结构、其制备方法和半导体器件 [P].

肖帅 ;

马万里 .

中国专利 :CN119698050A ,2025-03-25

[9]

功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件 [P].

郝炜 ;

唐新灵 ;

魏晓光 ;

于克凡 ;

石浩 ;

代安琪 ;

林仲康 ;

田延忠 .

中国专利 :CN119920772A ,2025-05-02

[10]

功率半导体封装结构及具有其的功率半导体器件 [P].

郝炜 ;

唐新灵 ;

魏晓光 ;

于克凡 ;

石浩 ;

代安琪 ;

林仲康 ;

田延忠 .

中国专利 :CN119920772B ,2025-06-03

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