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MEMS惯性器件结构及制作方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511000499.0
申请日：
2025-07-21
公开(公告)号：
CN120483031B
公开(公告)日：
2025-09-30
发明(设计)人：
黄晟 周元 李钊 汪超 王春水
申请人：
武汉衡惯科技发展有限公司
申请人地址：
430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B3栋10楼1131（自贸区武汉片区）
IPC主分类号：
B81B7/02
IPC分类号：
B81B7/00 B81C1/00
代理机构：
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228
代理人：
吴俣
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-30 授权 授权
2025-08-15 公开 公开
2025-09-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):B81B 7/02申请日:20250721
共 50 条
[1]
MEMS惯性器件结构及制作方法 [P]. 
黄晟 ;
周元 ;
李钊 ;
汪超 ;
王春水 .
中国专利 :CN120483031A ,2025-08-15
[2]
MEMS惯性器件的制备方法及MEMS惯性器件 [P]. 
张兆林 .
中国专利 :CN120622404A ,2025-09-12
[3]
MEMS惯性器件的制备方法及MEMS惯性器件 [P]. 
张兆林 .
中国专利 :CN120622404B ,2025-12-05
[4]
集成式MEMS惯性器件及其制作方法 [P]. 
黄晟 ;
汪超 ;
蒋文杰 ;
方明 .
中国专利 :CN120970693A ,2025-11-18
[5]
MEMS惯性器件 [P]. 
李军岐 .
中国专利 :CN205373719U ,2016-07-06
[6]
MEMS惯性器件 [P]. 
李军岐 .
中国专利 :CN106813660A ,2017-06-09
[7]
一种MEMS惯性器件敏感结构及其制作方法 [P]. 
方澍 ;
王甫 ;
鞠莉娜 ;
黄艳辉 .
中国专利 :CN118706112A ,2024-09-27
[8]
惯性器件及其制作方法 [P]. 
吕林静 ;
张兆林 .
中国专利 :CN117446745A ,2024-01-26
[9]
用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法 [P]. 
邢朝洋 ;
李男男 ;
孙鹏 ;
赵雪薇 ;
朱政强 ;
孟凡琛 ;
宋健民 ;
徐宇新 .
中国专利 :CN113916255B ,2024-02-09
[10]
用于辐照试验的MEMS惯性器件精确定位结构制作方法 [P]. 
邢朝洋 ;
李男男 ;
孙鹏 ;
赵雪薇 ;
朱政强 ;
孟凡琛 ;
宋健民 ;
徐宇新 .
中国专利 :CN113916255A ,2022-01-11
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