一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310916651.4

申请日：

2023-07-25

公开(公告)号：

CN119403302B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

许福军沈波王嘉铭冀晨康香宁唐宁秦志新

申请人：

北京大学

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/815 H10H20/85 H10H20/82

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

董媛

法律状态：

授权

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权
2025-02-07	公开	公开
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/01申请日:20230725

共 50 条

[1]

一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

王嘉铭 ;

冀晨 ;

康香宁 ;

唐宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN119403302A ,2025-02-07

[2]

一种垂直注入型AlGaN基紫外发光二极管器件及其制备方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

王嘉铭 ;

冀晨 ;

郎婧 ;

康香宁 ;

唐宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN118039753A ,2024-05-14

[3]

一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

王嘉铭 ;

郎婧 ;

康香宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN114373837A ,2022-04-19

[4]

一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

王嘉铭 ;

郎婧 ;

康香宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN114373837B ,2024-04-05

[5]

一种AlGaN基紫外发光二极管 [P].

孙月静 .

中国专利 :CN106410001B ,2017-02-15

[6]

AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

郎婧 ;

王嘉铭 ;

康香宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN111628059B ,2020-09-04

[7]

紫外发光二极管、紫外LED外延层结构及其制备方法 [P].

郭炜 ;

叶继春 ;

徐厚强 .

中国专利 :CN113054063A ,2021-06-29

[8]

一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法 [P].

胡加辉 ;

刘春杨 ;

吕蒙普 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN114566573A ,2022-05-31

[9]

一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法 [P].

刘超 ;

祁颖 .

中国专利 :CN118099310A ,2024-05-28

[10]

一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法 [P].

胡加辉 ;

刘春杨 ;

吕蒙普 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN114566573B ,2025-07-04

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