AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010351078.3

申请日：

2020-04-28

公开(公告)号：

CN111628059B

公开(公告)日：

2020-09-04

发明(设计)人：

许福军沈波郎婧王嘉铭康香宁秦志新

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3306 H01L3314 H01L3300

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

马瑞

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20200428
2021-03-23	授权	授权
2020-09-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

王嘉铭 ;

郎婧 ;

康香宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN114373837A ,2022-04-19

[2]

一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法 [P].

刘超 ;

祁颖 .

中国专利 :CN118099310A ,2024-05-28

[3]

一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

王嘉铭 ;

郎婧 ;

康香宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN114373837B ,2024-04-05

[4]

一种AlGaN基深紫外发光二极管 [P].

黄涌 ;

李煜 ;

曹芷欣 ;

江浩 .

中国专利 :CN116995160B ,2024-04-19

[5]

深紫外发光二极管器件及其制备方法 [P].

张爽 ;

张顺 ;

李红霞 ;

张会雪 .

中国专利 :CN117438517A ,2024-01-23

[6]

深紫外发光二极管 [P].

张毅 ;

卓昌正 ;

张骏 ;

陈长清 ;

戴江南 .

中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24

[7]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

罗红波 ;

李红霞 ;

郑志强 ;

张顺 ;

张会雪 .

中国专利 :CN117995957A ,2024-05-07

[8]

AlGaN基深紫外发光二极管的外延片及其制备方法 [P].

丁涛 ;

龚程成 ;

尹涌 ;

梅劲 .

中国专利 :CN113571616B ,2021-10-29

[9]

一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用 [P].

许福军 ;

郎婧 ;

沈波 ;

王嘉铭 ;

康香宁 ;

唐宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN119836066A ,2025-04-15

[10]

一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用 [P].

许福军 ;

郎婧 ;

沈波 ;

王嘉铭 ;

康香宁 ;

唐宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN119836066B ,2025-11-11

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