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一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311312427.0
申请日：
2023-10-11
公开(公告)号：
CN119836066B
公开(公告)日：
2025-11-11
发明(设计)人：
许福军 郎婧 沈波 王嘉铭 康香宁 唐宁 秦志新
申请人：
北京大学
申请人地址：
100871 北京市海淀区颐和园路5号
IPC主分类号：
H10H20/825
IPC分类号：
H10H20/816 H10H20/01
代理机构：
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245
代理人：
董媛
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
北京市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-02 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/825申请日:20231011
2025-11-11 授权 授权
2025-04-15 公开 公开
共 50 条
[1]
一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用 [P]. 
许福军 ;
郎婧 ;
沈波 ;
王嘉铭 ;
康香宁 ;
唐宁 ;
秦志新 .
中国专利 :CN119836066A ,2025-04-15
[2]
一种AlGaN基深紫外发光二极管 [P]. 
黄涌 ;
李煜 ;
曹芷欣 ;
江浩 .
中国专利 :CN116995160B ,2024-04-19
[3]
AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法 [P]. 
许福军 ;
沈波 ;
郎婧 ;
王嘉铭 ;
康香宁 ;
秦志新 .
中国专利 :CN111628059B ,2020-09-04
[4]
深紫外发光二极管 [P]. 
张毅 ;
卓昌正 ;
张骏 ;
陈长清 ;
戴江南 .
中国专利 :CN120835639A ,2025-10-24
[5]
一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法 [P]. 
刘超 ;
祁颖 .
中国专利 :CN118099310A ,2024-05-28
[6]
一种深紫外发光二极管 [P]. 
张骏 ;
陈圣昌 ;
单茂诚 ;
张毅 ;
岳金顺 .
中国专利 :CN117878204A ,2024-04-12
[7]
一种AlGaN基深紫外发光二极管外延结构及制备方法 [P]. 
刘超 ;
高一品 .
中国专利 :CN118156385A ,2024-06-07
[8]
一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法 [P]. 
许福军 ;
沈波 ;
王嘉铭 ;
郎婧 ;
康香宁 ;
秦志新 .
中国专利 :CN114373837A ,2022-04-19
[9]
一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法 [P]. 
许福军 ;
沈波 ;
王嘉铭 ;
郎婧 ;
康香宁 ;
秦志新 .
中国专利 :CN114373837B ,2024-04-05
[10]
一种深紫外发光二极管 [P]. 
张骏 ;
卓昌正 ;
张毅 ;
陈长清 ;
戴江南 .
中国专利 :CN120129371A ,2025-06-10
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