一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202111389389.X

申请日：

2021-11-22

公开(公告)号：

CN114373837A

公开(公告)日：

2022-04-19

发明(设计)人：

许福军沈波王嘉铭郎婧康香宁秦志新

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3300 H01L3314 H01L3324

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

盛大文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20211122
2022-04-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

王嘉铭 ;

郎婧 ;

康香宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN114373837B ,2024-04-05

[2]

一种AlGaN基深紫外发光二极管器件结构及其制备方法 [P].

刘超 ;

祁颖 .

中国专利 :CN118099310A ,2024-05-28

[3]

AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法 [P].

许福军 ;

沈波 ;

郎婧 ;

王嘉铭 ;

康香宁 ;

秦志新 .

中国专利 :CN111628059B ,2020-09-04

[4]

一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法 [P].

胡加辉 ;

刘春杨 ;

吕蒙普 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN114566573A ,2022-05-31

[5]

一种AlGaN基紫外发光二极管 [P].

孙月静 .

中国专利 :CN106410001B ,2017-02-15

[6]

一种AlGaN基深紫外发光二极管芯片及其制备方法 [P].

胡加辉 ;

刘春杨 ;

吕蒙普 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN114566573B ,2025-07-04

[7]

一种AlGaN基深紫外发光二极管 [P].

黄涌 ;

李煜 ;

曹芷欣 ;

江浩 .

中国专利 :CN116995160B ,2024-04-19

[8]

铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

魏学成 ;

闫丹 ;

孙雪娇 ;

王军喜 .

中国专利 :CN120751848A ,2025-10-03

[9]

铝镓氮基深紫外发光二极管及其制备方法 [P].

魏学成 ;

闫丹 ;

孙雪娇 ;

王军喜 .

中国专利 :CN120751848B ,2025-11-21

[10]

深紫外发光二极管器件 [P].

张爽 ;

戴江南 ;

陈长清 .

中国专利 :CN222621533U ,2025-03-14

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