MEMS压力传感器晶圆及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510859831.2

申请日：

2025-06-25

公开(公告)号：

CN120907720A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

余雅俊张裕华刘建哲徐良陈素春曹阳

申请人：

金华富芯微纳电子科技有限公司

申请人地址：

321000 浙江省金华市婺城区秋滨街道屏岩街206号

IPC主分类号：

G01L9/06

IPC分类号：

B81B7/02 B81C1/00 G01L9/08 G01L1/16 G01L1/18

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

张慧汝

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开
2025-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01L 9/06申请日:20250625

共 50 条

[1]

MEMS压力传感器及其制备方法 [P].

曹阳 ;

张裕华 ;

余雅俊 ;

刘建哲 ;

徐良 .

中国专利 :CN119043537B ,2025-06-27

[2]

MEMS压力传感器及其制备方法 [P].

曹阳 ;

张裕华 ;

余雅俊 ;

刘建哲 ;

徐良 .

中国专利 :CN119043537A ,2024-11-29

[3]

MEMS压力传感器及其制备方法 [P].

余雅俊 ;

张裕华 ;

曹阳 ;

刘建哲 ;

徐良 .

中国专利 :CN120333661A ,2025-07-18

[4]

一种MEMS压力传感器及其制备方法 [P].

余雅俊 ;

张裕华 ;

刘建哲 ;

徐良 ;

陈素春 ;

曹阳 .

中国专利 :CN120507069A ,2025-08-19

[5]

一种MEMS压力传感器及其制备方法 [P].

余雅俊 ;

张裕华 ;

刘建哲 ;

徐良 ;

陈素春 ;

曹阳 .

中国专利 :CN121089941A ,2025-12-09

[6]

MEMS压力传感器及其制备方法 [P].

桑新文 .

中国专利 :CN111664972A ,2020-09-15

[7]

MEMS压力传感器制造方法及MEMS压力传感器 [P].

朱恩成 ;

陈磊 ;

张强 ;

闫文明 .

中国专利 :CN113432777A ,2021-09-24

[8]

一种MEMS压力传感器及其制备方法 [P].

李维平 ;

兰之康 ;

张宇旸 .

中国专利 :CN113899489A ,2022-01-07

[9]

MEMS压力传感器 [P].

湛邵斌 ;

霍红颖 ;

胡涛 ;

高月芳 ;

王新中 .

中国专利 :CN206876312U ,2018-01-12

[10]

MEMS压力传感器 [P].

湛邵斌 ;

霍红颖 ;

胡涛 ;

高月芳 ;

王新中 .

中国专利 :CN107144378A ,2017-09-08

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