一种用于生长碳化硅晶体的碳化硅粉末的制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410582608.3

申请日：

2024-05-11

公开(公告)号：

CN120922876A

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

张新峰吴志亮黄杰

申请人：

江苏卓远半导体有限公司

申请人地址：

226500 江苏省南通市如皋高新区城南街道电信东一路6号

IPC主分类号：

C01B32/956

IPC分类号：

C30B29/36

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	公开	公开

共 50 条

[1]

用于碳化硅晶体生长的部件及其制备工艺、碳化硅长晶工艺和碳化硅器件 [P].

张武广 .

中国专利 :CN120797182A ,2025-10-17

[2]

一种碳化硅晶体的生长方法和碳化硅晶体 [P].

张永伟 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN117265664B ,2024-04-30

[3]

碳化硅晶体的生长装置 [P].

李远田 ;

吴建 .

中国专利 :CN117926400A ,2024-04-26

[4]

制备碳化硅晶体的生长装置及碳化硅晶体的生长方法 [P].

许成凯 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN115537925A ,2022-12-30

[5]

碳化硅粉末和制造碳化硅粉末的方法 [P].

佐佐木信 ;

井上博挥 .

中国专利 :CN102958834A ,2013-03-06

[6]

用于制备碳化硅粉末和单晶碳化硅的方法 [P].

梁仁锡 ;

权容禛 ;

金一坤 .

中国专利 :CN114585777A ,2022-06-03

[7]

碳化硅晶体的制造方法、碳化硅晶体及碳化硅晶体的制造装置 [P].

西口太郎 .

中国专利 :CN102471930A ,2012-05-23

[8]

一种用于碳化硅晶体生长的碳化硅微粉的制备方法 [P].

高宇 ;

陶莹 ;

邓树军 ;

段聪 ;

赵梅玉 .

中国专利 :CN103058192A ,2013-04-24

[9]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

林育仪 ;

廖建成 ;

陈增强 ;

余明轩 .

中国专利 :CN116695238B ,2024-03-22

[10]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

刘曦 .

中国专利 :CN116815320B ,2024-01-12

← 1 2 3 4 5 →