用于碳化硅晶体生长的部件及其制备工艺、碳化硅长晶工艺和碳化硅器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511023386.2

申请日：

2025-07-24

公开(公告)号：

CN120797182A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

张武广

申请人：

江苏集芯先进材料有限公司

申请人地址：

221000 江苏省徐州市高新技术产业开发区电子信息产业园二期二号厂房

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B29/36

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

梁柏祺

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	公开	公开
2025-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 23/00申请日:20250724

共 50 条

[1]

碳化硅沟槽制备工艺及碳化硅器件 [P].

周玉华 ;

刘胜北 ;

吴剑波 ;

魏丹珠 ;

孙向东 ;

吴贤勇 .

中国专利 :CN118782463A ,2024-10-15

[2]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

林育仪 ;

廖建成 ;

陈增强 ;

余明轩 .

中国专利 :CN116695238B ,2024-03-22

[3]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[4]

碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体 [P].

刘曦 .

中国专利 :CN116815320B ,2024-01-12

[5]

碳化硅晶体生长容器和具有其的碳化硅晶体生长设备 [P].

李远田 ;

韩倩 ;

吴安楠 ;

尹良良 ;

胡家乐 .

中国专利 :CN120889022A ,2025-11-04

[6]

碳化硅晶体生长装置 [P].

薛卫明 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN217757758U ,2022-11-08

[7]

碳化硅晶体生长装置 [P].

燕靖 .

中国专利 :CN118704083A ,2024-09-27

[8]

一种碳化硅晶体生长用的碳化硅籽晶 [P].

陶莹 ;

邓树军 ;

高宇 ;

段聪 ;

赵梅玉 .

中国专利 :CN203065637U ,2013-07-17

[9]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

[10]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

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