一种氮化硅蚀刻液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510946517.8

申请日：

2025-07-09

公开(公告)号：

CN120865923A

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

李少平班昌胜冯凯李飞李素云

申请人：

湖北兴福电子材料股份有限公司

申请人地址：

443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号

IPC主分类号：

C09K13/06

IPC分类号：

H01L21/311

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

蒋悦

法律状态：

公开

国省代码：

湖北省宜昌市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	公开	公开
2025-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09K 13/06申请日:20250709

共 50 条

[1]

氮化硅蚀刻液组成物 [P].

大和田拓央 ;

吉田勇喜 ;

持田耕平 ;

仓本蕗人 .

日本专利 :CN118435329A ,2024-08-02

[2]

一种掺碳氮化硅/氧化硅的选择性蚀刻液 [P].

叶瑞 ;

严凡 ;

贺兆波 ;

姜飞 ;

张庭 ;

班昌胜 ;

冯凯 ;

王书萍 ;

樊澌 ;

罗月 ;

苏张轩 ;

李素云 .

中国专利 :CN119120026A ,2024-12-13

[3]

一种选择性蚀刻氮化硅及氧化硅和氮化钛的蚀刻液 [P].

李飞 ;

贺兆波 ;

冯凯 ;

班昌胜 ;

李素云 ;

苏张轩 ;

罗佳杨 ;

严凡 ;

樊澌 ;

徐泽 ;

黄莉 .

中国专利 :CN119614203A ,2025-03-14

[4]

一种氮化硅和钨的选择性蚀刻液 [P].

叶瑞 ;

樊澌 ;

贺兆波 ;

姜飞 ;

张庭 ;

冯凯 ;

王书萍 ;

班昌胜 ;

严凡 .

中国专利 :CN117720924A ,2024-03-19

[5]

氮化硅蚀刻液组合物 [P].

大和田拓央 ;

持田耕平 ;

吉田勇喜 .

中国专利 :CN113544822A ,2021-10-22

[6]

一种适用于深沟槽蚀刻的氮化硅蚀刻液 [P].

李少平 ;

班昌胜 ;

贺兆波 ;

张庭 ;

冯凯 ;

叶瑞 ;

王书萍 ;

王宏博 ;

苏张轩 ;

李素云 ;

李飞 .

中国专利 :CN118813261A ,2024-10-22

[7]

集成电路用硅、氮化硅蚀刻液 [P].

何珂 ;

戈烨铭 ;

白雪 .

中国专利 :CN118027975A ,2024-05-14

[8]

一种氮化硅蚀刻液磷酸回收装置 [P].

白晓鹏 ;

李泰亨 ;

申阳 ;

苗发虎 ;

王丹宇 ;

赵方方 .

中国专利 :CN217939213U ,2022-12-02

[9]

一种高氧化硅/氮化硅选择比的BOE蚀刻液 [P].

李少平 ;

杨翠翠 ;

张庭 ;

贺兆波 ;

叶瑞 ;

李金航 ;

武昊冉 ;

欧阳克银 ;

许真 ;

董攀飞 ;

蒲帅 .

中国专利 :CN119307262A ,2025-01-14

[10]

一种高选择性蚀刻掺杂氧化硅/碳氮化硅的蚀刻液 [P].

武昊冉 ;

张庭 ;

贺兆波 ;

李金航 ;

叶瑞 ;

李鑫 ;

徐子豪 .

中国专利 :CN116103047B ,2024-03-12

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