一种适用于深沟槽蚀刻的氮化硅蚀刻液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410787550.6

申请日：

2024-06-18

公开(公告)号：

CN118813261A

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

李少平班昌胜贺兆波张庭冯凯叶瑞王书萍王宏博苏张轩李素云李飞

申请人：

湖北兴福电子材料股份有限公司

申请人地址：

443007 湖北省宜昌市猇亭区猇亭大道66-3号

IPC主分类号：

C09K13/06

IPC分类号：

H01L21/311 H01L21/28

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

蒋悦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省宜昌市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09K 13/06申请日:20240618
2024-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种适用于深沟槽蚀刻的氮化硅蚀刻液 [P].

班昌胜 ;

贺兆波 ;

叶瑞 ;

姜飞 ;

张庭 ;

冯凯 ;

王书萍 ;

冯帆 ;

严凡 ;

樊澌 ;

陈小超 ;

罗海燕 .

中国专利 :CN117987144A ,2024-05-07

[2]

一种氮化硅蚀刻液 [P].

李少平 ;

班昌胜 ;

冯凯 ;

李飞 ;

李素云 .

中国专利 :CN120865923A ,2025-10-31

[3]

一种选择性蚀刻氮化硅及氧化硅和氮化钛的蚀刻液 [P].

李飞 ;

贺兆波 ;

冯凯 ;

班昌胜 ;

李素云 ;

苏张轩 ;

罗佳杨 ;

严凡 ;

樊澌 ;

徐泽 ;

黄莉 .

中国专利 :CN119614203A ,2025-03-14

[4]

氮化硅蚀刻液组成物 [P].

大和田拓央 ;

吉田勇喜 ;

持田耕平 ;

仓本蕗人 .

日本专利 :CN118435329A ,2024-08-02

[5]

氮化硅蚀刻液组合物 [P].

大和田拓央 ;

持田耕平 ;

吉田勇喜 .

中国专利 :CN113544822A ,2021-10-22

[6]

用于湿法蚀刻氮化硅的组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

林娥铉 ;

李浚宇 .

中国专利 :CN110551503A ,2019-12-10

[7]

选择性蚀刻氮化硅及氮化钛的蚀刻液及其制备方法 [P].

李少平 ;

王宏博 ;

贺兆波 ;

池汝安 ;

叶瑞 ;

冯凯 ;

班昌胜 ;

严凡 ;

李飞 ;

李素云 ;

樊澌 ;

苏张轩 ;

罗佳杨 .

中国专利 :CN119286526A ,2025-01-10

[8]

氮化硅膜的蚀刻组合物 [P].

李锡浩 ;

宋定桓 ;

全成植 ;

赵诚一 ;

金炳卓 ;

韩挪 ;

林娥铉 ;

李浚宇 ;

李鍲根 ;

金俊源 .

中国专利 :CN109913221A ,2019-06-21

[9]

一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液 [P].

李少平 ;

张庭 ;

郝晓斌 ;

贺兆波 ;

冯凯 ;

王书萍 ;

尹印 ;

万杨阳 ;

张演哲 .

中国专利 :CN110878208A ,2020-03-13

[10]

一种高选择性蚀刻掺杂氧化硅/碳氮化硅的蚀刻液 [P].

武昊冉 ;

张庭 ;

贺兆波 ;

李金航 ;

叶瑞 ;

李鑫 ;

徐子豪 .

中国专利 :CN116103047B ,2024-03-12

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