检测寄生电容方法、装置、介质、设备及电路仿真方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211005954.2

申请日：

2022-08-22

公开(公告)号：

CN115327240B

公开(公告)日：

2025-11-14

发明(设计)人：

翁坤

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

G01R27/26

IPC分类号：

G06F30/398

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-14	授权	授权

共 50 条

[1]

检测寄生电容方法、装置、介质、设备及电路仿真方法 [P].

翁坤 .

中国专利 :CN115327240A ,2022-11-11

[2]

寄生电容检测电路及检测方法 [P].

洪培在 ;

魏闻 ;

何宏伟 .

中国专利 :CN111579877B ,2020-08-25

[3]

电路寄生电容确定方法、装置、设备、介质及产品 [P].

崔方 ;

周翔 ;

印永翔 .

中国专利 :CN118673871A ,2024-09-20

[4]

储能装置寄生电容检测电路及方法 [P].

沈向东 ;

沈成宇 ;

邵圣吉 ;

白龙 ;

侯敏 ;

曹辉 .

中国专利 :CN115629238A ,2023-01-20

[5]

电路仿真测试方法、装置、设备及介质 [P].

林峰 ;

赵康 ;

吴增泉 .

中国专利 :CN115640172A ,2023-01-24

[6]

电路仿真测试方法、装置、设备及介质 [P].

林峰 ;

赵康 ;

吴增泉 .

中国专利 :CN115640172B ,2025-10-21

[7]

电路仿真方法、电路仿真装置、介质及电子设备 [P].

施国勇 ;

郝莉民 ;

叶瑶瑶 .

中国专利 :CN114510891A ,2022-05-17

[8]

电路仿真方法、电路仿真装置、介质及电子设备 [P].

施国勇 ;

郝莉民 ;

叶瑶瑶 .

中国专利 :CN114510891B ,2025-04-01

[9]

寄生电容过载的检测方法 [P].

曹云 .

中国专利 :CN112767992B ,2024-05-17

[10]

寄生电容过载的检测方法 [P].

曹云 .

中国专利 :CN112767992A ,2021-05-07

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