半导体封装及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410799587.0
申请日
2024-06-20
公开(公告)号
CN120895569A
公开(公告)日
2025-11-04
发明(设计)人
杨吴德
申请人
南亚科技股份有限公司
申请人地址
中国台湾新北市泰山区南林路98号
IPC主分类号
H01L23/64
IPC分类号
H01L23/31 H01L21/50 H01L21/56
代理机构
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人
康艳青;张铮铮
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体封装及其制造方法 [P]. 
赵应山 ;
T·纳耶夫 ;
P·帕尔姆 .
中国专利 :CN113257678A ,2021-08-13
[2]
半导体封装及其制造方法 [P]. 
饭岛隆广 ;
六川昭雄 .
中国专利 :CN1306601C ,2003-05-14
[3]
半导体封装及其制造方法 [P]. 
赵应山 ;
T·纳耶夫 ;
P·帕尔姆 .
德国专利 :CN113257678B ,2025-03-04
[4]
半导体封装衬底及其制造方法、半导体封装及其制造方法 [P]. 
裵仁燮 ;
姜圣日 ;
尹东陈 .
中国专利 :CN110189999A ,2019-08-30
[5]
半导体封装及其制造方法以及半导体器件 [P]. 
清水规良 ;
六川昭雄 ;
饭岛隆广 .
中国专利 :CN1487583A ,2004-04-07
[6]
半导体封装、半导体封装堆叠及其制造方法 [P]. 
施信益 .
中国专利 :CN111524878A ,2020-08-11
[7]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
姜熙源 ;
李钟周 .
中国专利 :CN108022916B ,2018-05-11
[8]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
郑校永 ;
金镇洙 ;
梁现锡 ;
李奇柱 ;
赵浩延 ;
陈翼奎 .
中国专利 :CN114496975A ,2022-05-13
[9]
半导体封装衬底、其制造方法、半导体封装及其制造方法 [P]. 
金沅彬 ;
姜圣日 ;
裵仁燮 ;
尹东陈 .
中国专利 :CN115050717A ,2022-09-13
[10]
半导体封装和制造半导体封装的方法 [P]. 
郑校永 ;
金镇洙 ;
梁现锡 ;
李奇柱 ;
赵浩延 ;
陈翼奎 .
韩国专利 :CN114496975B ,2025-05-16