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一种碳化硅衬底用抛光液及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511110577.2
申请日：
2025-08-08
公开(公告)号：
CN120966369A
公开(公告)日：
2025-11-18
发明(设计)人：
张成荣 刘江华 刘冠华 彭勇 朱生凯
申请人：
青海圣诺光电科技有限公司
申请人地址：
810000 青海省西宁市城中区兴业路8号
IPC主分类号：
C09G1/18
IPC分类号：
H01L21/02
代理机构：
合肥启梦聿智专利代理事务所(普通合伙) 34391
代理人：
钟志芸
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
青海省 西宁市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-05 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C09G 1/18申请日:20250808
2025-11-18 公开 公开
共 50 条
[1]
碳化硅衬底用抛光液 [P]. 
储耀卿 ;
施尔畏 .
中国专利 :CN102533124A ,2012-07-04
[2]
一种用于碳化硅的酸性复合抛光液及其制备方法 [P]. 
张成荣 ;
刘江华 ;
刘冠华 ;
朱生凯 .
中国专利 :CN121022270A ,2025-11-28
[3]
一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法 [P]. 
高尚 ;
董志刚 ;
宋鑫 ;
邹逸然 ;
康仁科 .
中国专利 :CN120173514B ,2025-09-12
[4]
一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法 [P]. 
高尚 ;
董志刚 ;
宋鑫 ;
邹逸然 ;
康仁科 .
中国专利 :CN120173514A ,2025-06-20
[5]
一种用于碳化硅衬底片CMP抛光液的制备方法 [P]. 
宋伟红 ;
宋菁 ;
席啸林 ;
蔡庆东 ;
赵梦亦宋 .
中国专利 :CN117866536A ,2024-04-12
[6]
一种碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液及其制备方法 [P]. 
陈森军 ;
许亚杰 ;
张瑞敏 .
中国专利 :CN118909551A ,2024-11-08
[7]
一种碳化硅用抛光液的制备和使用方法 [P]. 
张贺 ;
陈小龙 ;
黄青松 ;
王锡铭 .
中国专利 :CN102127371B ,2011-07-20
[8]
一种高效环保碳化硅抛光液及其制备方法和应用 [P]. 
孙韬 .
中国专利 :CN110922896A ,2020-03-27
[9]
一种用于单晶碳化硅衬底抛光的CMP抛光液及其制备方法 [P]. 
牛娟娟 ;
罗浩宁 ;
孙蕊蕊 ;
火雅茹 ;
王海成 ;
陈正磊 .
中国专利 :CN117987016A ,2024-05-07
[10]
一种碳化硅晶片的抛光液 [P]. 
詹琳 .
中国专利 :CN105647393A ,2016-06-08
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