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一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510212312.7
申请日：
2025-02-25
公开(公告)号：
CN120173514B
公开(公告)日：
2025-09-12
发明(设计)人：
高尚 董志刚 宋鑫 邹逸然 康仁科
申请人：
大连理工大学
申请人地址：
116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号
IPC主分类号：
C09G1/02
IPC分类号：
H01L21/306
代理机构：
大连东方专利代理有限责任公司 21212
代理人：
修睿
法律状态：
公开
国省代码：
河北省 石家庄市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-20 公开 公开
2025-09-12 授权 授权
2025-07-08 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C09G 1/02申请日:20250225
共 50 条
[1]
一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法 [P]. 
高尚 ;
董志刚 ;
宋鑫 ;
邹逸然 ;
康仁科 .
中国专利 :CN120173514A ,2025-06-20
[2]
一种碳化硅精抛液 [P]. 
汪为磊 ;
张会强 ;
许永辉 .
中国专利 :CN119019937A ,2024-11-26
[3]
一种碳化硅衬底用抛光液及其制备方法 [P]. 
张成荣 ;
刘江华 ;
刘冠华 ;
彭勇 ;
朱生凯 .
中国专利 :CN120966369A ,2025-11-18
[4]
一种用于碳化硅衬底片CMP抛光液的制备方法 [P]. 
宋伟红 ;
宋菁 ;
席啸林 ;
蔡庆东 ;
赵梦亦宋 .
中国专利 :CN117866536A ,2024-04-12
[5]
一种用于单晶碳化硅衬底精抛的CMP抛光液及其制备方法 [P]. 
牛娟娟 ;
罗浩宁 ;
孙蕊蕊 ;
火雅茹 ;
王海成 ;
陈正磊 .
中国专利 :CN117987015A ,2024-05-07
[6]
一种用于碳化硅晶片粗抛的氧化铝CMP抛光液及其抛光方法 [P]. 
康仁科 ;
高尚 ;
宋鑫 ;
董志刚 .
中国专利 :CN120173513A ,2025-06-20
[7]
一种用于碳化硅晶片粗抛的氧化铝CMP抛光液及其抛光方法 [P]. 
康仁科 ;
高尚 ;
宋鑫 ;
董志刚 .
中国专利 :CN120173513B ,2025-09-16
[8]
一种碳化硅晶片的抛光液 [P]. 
詹琳 .
中国专利 :CN105647393A ,2016-06-08
[9]
一种碳化硅晶圆抛光用的抛光液及其制备方法 [P]. 
颜杰钦 ;
郭东勇 ;
李泽辉 .
中国专利 :CN120888243A ,2025-11-04
[10]
一种高效环保碳化硅抛光液及其制备方法和应用 [P]. 
孙韬 .
中国专利 :CN110922896A ,2020-03-27
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