一种用于单晶碳化硅衬底精抛的CMP抛光液及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410002524.8

申请日：

2024-01-02

公开(公告)号：

CN117987015A

公开(公告)日：

2024-05-07

发明(设计)人：

牛娟娟罗浩宁孙蕊蕊火雅茹王海成陈正磊

申请人：

甘肃金阳高科技材料有限公司

申请人地址：

730100 甘肃省兰州市榆中县和平镇和平开发区工贸街

IPC主分类号：

C09G1/02

IPC分类号：

C09K3/14

代理机构：

兰州锦科标联知识产权代理事务所(普通合伙) 62203

代理人：

牟月萍

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-07	公开	公开
2024-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09G 1/02申请日:20240102

共 50 条

[1]

一种用于单晶碳化硅衬底抛光的CMP抛光液及其制备方法 [P].

牛娟娟 ;

罗浩宁 ;

孙蕊蕊 ;

火雅茹 ;

王海成 ;

陈正磊 .

中国专利 :CN117987016A ,2024-05-07

[2]

一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法 [P].

高尚 ;

董志刚 ;

宋鑫 ;

邹逸然 ;

康仁科 .

中国专利 :CN120173514B ,2025-09-12

[3]

一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法 [P].

高尚 ;

董志刚 ;

宋鑫 ;

邹逸然 ;

康仁科 .

中国专利 :CN120173514A ,2025-06-20

[4]

一种用于碳化硅衬底片CMP抛光液的制备方法 [P].

宋伟红 ;

宋菁 ;

席啸林 ;

蔡庆东 ;

赵梦亦宋 .

中国专利 :CN117866536A ,2024-04-12

[5]

碳化硅衬底用抛光液 [P].

储耀卿 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102533124A ,2012-07-04

[6]

一种用于碳化硅衬底CMP的氧化硅抛光液的制备方法 [P].

陈斌 ;

刘胥冠 ;

何万贵 ;

肖伟 ;

王鑫 .

中国专利 :CN119639351A ,2025-03-18

[7]

一种碳化硅衬底用抛光液及其制备方法 [P].

张成荣 ;

刘江华 ;

刘冠华 ;

彭勇 ;

朱生凯 .

中国专利 :CN120966369A ,2025-11-18

[8]

一种用于碳化硅晶片粗抛的氧化铝CMP抛光液及其抛光方法 [P].

康仁科 ;

高尚 ;

宋鑫 ;

董志刚 .

中国专利 :CN120173513A ,2025-06-20

[9]

一种用于碳化硅晶片粗抛的氧化铝CMP抛光液及其抛光方法 [P].

康仁科 ;

高尚 ;

宋鑫 ;

董志刚 .

中国专利 :CN120173513B ,2025-09-16

[10]

一种碳化硅衬底粗抛用氧化铝抛光液及其制备方法 [P].

陈森军 ;

许亚杰 ;

张瑞敏 .

中国专利 :CN118909551A ,2024-11-08

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