一种碳化硅精抛液

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411136735.7

申请日：

2024-08-19

公开(公告)号：

CN119019937A

公开(公告)日：

2024-11-26

发明(设计)人：

汪为磊张会强许永辉

申请人：

上海新安纳电子科技有限公司

申请人地址：

201506 上海市金山区金山工业区天工路285弄2幢

IPC主分类号：

C09G1/02

IPC分类号：

H01L21/304

代理机构：

浙江启明星专利代理有限公司 33492

代理人：

张俊海

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-26	公开	公开
2024-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09G 1/02申请日:20240819

共 50 条

[1]

一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法 [P].

高尚 ;

董志刚 ;

宋鑫 ;

邹逸然 ;

康仁科 .

中国专利 :CN120173514B ,2025-09-12

[2]

一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法 [P].

高尚 ;

董志刚 ;

宋鑫 ;

邹逸然 ;

康仁科 .

中国专利 :CN120173514A ,2025-06-20

[3]

一种碳化硅晶片的抛光液 [P].

詹琳 .

中国专利 :CN105647393A ,2016-06-08

[4]

碳化硅晶片及其加工方法 [P].

徐良 ;

朱振佳 ;

蓝文安 ;

占俊杰 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN112809458B ,2021-05-18

[5]

一种含新型复合无机氧化剂的用于碳化硅衬底精抛抛光液 [P].

杨阳 ;

凌观爽 ;

俞萍 ;

何波 .

中国专利 :CN119684904A ,2025-03-25

[6]

一种酸性碳化硅衬底材料粗抛液制备方法 [P].

韦桂群 ;

刘冠华 ;

刘江华 ;

张成荣 .

中国专利 :CN120041100A ,2025-05-27

[7]

一种用于碳化硅衬底材料的碱性粗抛液 [P].

韦桂群 ;

刘冠华 ;

刘江华 ;

张成荣 .

中国专利 :CN118879206A ,2024-11-01

[8]

一种用于单晶碳化硅衬底精抛的CMP抛光液及其制备方法 [P].

牛娟娟 ;

罗浩宁 ;

孙蕊蕊 ;

火雅茹 ;

王海成 ;

陈正磊 .

中国专利 :CN117987015A ,2024-05-07

[9]

一种碳化硅衬底用抛光液及其制备方法 [P].

张成荣 ;

刘江华 ;

刘冠华 ;

彭勇 ;

朱生凯 .

中国专利 :CN120966369A ,2025-11-18

[10]

一种水性碳化硅晶片研磨液及其制备方法 [P].

杨三贵 ;

王锡铭 ;

孙安信 .

中国专利 :CN106967386A ,2017-07-21

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