一种碳化硅CMP精抛抛光液及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510212312.7

申请日：

2025-02-25

公开(公告)号：

CN120173514B

公开(公告)日：

2025-09-12

发明(设计)人：

高尚董志刚宋鑫邹逸然康仁科

申请人：

大连理工大学

申请人地址：

116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号

IPC主分类号：

C09G1/02

IPC分类号：

H01L21/306

代理机构：

大连东方专利代理有限责任公司 21212

代理人：

修睿

法律状态：

公开

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	公开	公开
2025-09-12	授权	授权
2025-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09G 1/02申请日:20250225

共 50 条

[21]

一种含复合硅溶胶磨料的碳化硅抛光液及其制备方法和应用 [P].

兰幽优 .

中国专利 :CN119799165A ,2025-04-11

[22]

一种含新型复合无机氧化剂的用于碳化硅衬底精抛抛光液 [P].

杨阳 ;

凌观爽 ;

俞萍 ;

何波 .

中国专利 :CN119684904A ,2025-03-25

[23]

一种用于碳化硅的化学机械抛光液及其制备方法 [P].

张辰彬 ;

罗光红 ;

张育玮 ;

刘洋 .

中国专利 :CN120574527A ,2025-09-02

[24]

一种酸性碳化硅衬底材料粗抛液制备方法 [P].

韦桂群 ;

刘冠华 ;

刘江华 ;

张成荣 .

中国专利 :CN120041100A ,2025-05-27

[25]

一种用于β-SiC精抛抛光液及其制备方法 [P].

张育玮 ;

张辰彬 ;

刘洋 ;

罗光红 .

中国专利 :CN120310440A ,2025-07-15

[26]

一种碳化硅抛光液及其制备方法 [P].

吴月英 ;

苑亚斐 .

中国专利 :CN117603624A ,2024-02-27

[27]

一种晶片抛光用抛光液及其制备方法 [P].

李加海 ;

梁则兵 .

中国专利 :CN115386297A ,2022-11-25

[28]

一种无磨粒碳化硅抛光液及其制备方法和应用 [P].

李英其 .

中国专利 :CN118325483A ,2024-07-12

[29]

一种晶片抛光用抛光液及其制备方法 [P].

李加海 ;

梁则兵 .

中国专利 :CN115386297B ,2024-04-26

[30]

一种用于氮化铝陶瓷粗抛CMP抛光液及其制备方法 [P].

孙蕊蕊 ;

罗浩宁 ;

姜霁涛 ;

何慧龄 ;

火雅茹 ;

牛娟娟 ;

王海成 ;

高宇柱 .

中国专利 :CN119752326A ,2025-04-04

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