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一种复合压电衬底及其制备方法和应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202511009970.2
申请日
:
2025-07-22
公开(公告)号
:
CN120897661A
公开(公告)日
:
2025-11-04
发明(设计)人
:
杨坤星
谭向虎
母凤文
刘福超
郭超
申请人
:
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
申请人地址
:
048000 山西省晋城市晋城经济技术开发区金鼎路东、顺安街南创新创业产业园10号楼
IPC主分类号
:
H10N30/85
IPC分类号
:
H10N30/853
H10N30/072
H03H9/02
H03H3/10
代理机构
:
北京品源专利代理有限公司 11332
代理人
:
刘二艳
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-11-04
公开
公开
2025-11-21
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H10N 30/85申请日:20250722
共 50 条
[21]
一种压电复合衬底的制备方法
[P].
张向鹏
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
张向鹏
;
母凤文
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机构:
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
母凤文
;
刘福超
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机构:
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
刘福超
;
谭向虎
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机构:
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
谭向虎
.
中国专利
:CN119317345A
,2025-01-14
[22]
一种压电衬底结构及其制备方法
[P].
母凤文
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机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
母凤文
;
郭超
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机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
郭超
;
于佳杨
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机构:
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
于佳杨
.
中国专利
:CN117545337B
,2024-04-09
[23]
一种柔性衬底及其制备方法和应用
[P].
伍惠龙
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机构:
厦门天马显示科技有限公司
厦门天马显示科技有限公司
伍惠龙
.
中国专利
:CN117729825A
,2024-03-19
[24]
一种POI衬底及其制备方法和应用
[P].
杨凯
论文数:
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
杨凯
;
薛成龙
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
薛成龙
;
柏文文
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
柏文文
;
王含冠
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
王含冠
;
杨朋辉
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
杨朋辉
;
刘培森
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
刘培森
;
肖博远
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
肖博远
;
周鑫辰
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
周鑫辰
;
高嘉骏
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
高嘉骏
;
华千慧
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
华千慧
;
国洪辰
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
国洪辰
;
崔健
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机构:
达波科技(上海)有限公司
达波科技(上海)有限公司
崔健
.
中国专利
:CN120041927A
,2025-05-27
[25]
一种衬底基板/压电材料薄膜结构及其制备方法和应用
[P].
欧欣
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欧欣
;
陈阳
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陈阳
;
黄凯
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黄凯
;
赵晓蒙
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赵晓蒙
;
鄢有泉
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鄢有泉
;
李忠旭
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李忠旭
.
中国专利
:CN111884616A
,2020-11-03
[26]
陶瓷衬底及其制备方法和应用
[P].
陈爱盛
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机构:
甬江实验室
甬江实验室
陈爱盛
;
林宇
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机构:
甬江实验室
甬江实验室
林宇
;
何少龙
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机构:
甬江实验室
甬江实验室
何少龙
.
中国专利
:CN121021150A
,2025-11-28
[27]
一种多层复合图形化衬底及其制备方法和应用
[P].
孙永健
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机构:
保定中创燕园半导体科技有限公司
保定中创燕园半导体科技有限公司
孙永健
;
豆学刚
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机构:
保定中创燕园半导体科技有限公司
保定中创燕园半导体科技有限公司
豆学刚
;
田克旺
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机构:
保定中创燕园半导体科技有限公司
保定中创燕园半导体科技有限公司
田克旺
;
师帅青
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机构:
保定中创燕园半导体科技有限公司
保定中创燕园半导体科技有限公司
师帅青
;
翟明明
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机构:
保定中创燕园半导体科技有限公司
保定中创燕园半导体科技有限公司
翟明明
;
王颖
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机构:
保定中创燕园半导体科技有限公司
保定中创燕园半导体科技有限公司
王颖
;
许福军
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机构:
保定中创燕园半导体科技有限公司
保定中创燕园半导体科技有限公司
许福军
.
中国专利
:CN120475826A
,2025-08-12
[28]
一种氧化镓压电衬底及其制备方法
[P].
王孟源
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机构:
福建晶旭半导体科技有限公司
福建晶旭半导体科技有限公司
王孟源
;
蒋将
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机构:
福建晶旭半导体科技有限公司
福建晶旭半导体科技有限公司
蒋将
.
中国专利
:CN118944625A
,2024-11-12
[29]
一种柔性金属衬底及其制备方法和应用
[P].
霍文星
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霍文星
;
梅增霞
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梅增霞
;
梁会力
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梁会力
;
张永晖
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张永晖
;
崔书娟
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崔书娟
;
隋妍心
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隋妍心
;
杜小龙
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杜小龙
.
中国专利
:CN108376648A
,2018-08-07
[30]
一种柔性金属衬底及其制备方法和应用
[P].
霍文星
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霍文星
;
梅增霞
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梅增霞
;
梁会力
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梁会力
;
张永晖
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张永晖
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崔书娟
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崔书娟
;
隋妍心
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隋妍心
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杜小龙
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杜小龙
;
贾海强
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贾海强
.
中国专利
:CN108364853A
,2018-08-03
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