单晶半导体晶圆测量系统及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411795363.9

申请日：

2024-12-07

公开(公告)号：

CN119833433B

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

马砚忠骆荣辉陈治均崔建华白园园陈鲁

申请人：

深圳中科飞测科技股份有限公司

申请人地址：

518000 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301-14号101、102

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/66 G01B15/00

代理机构：

深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316

代理人：

刘俊成

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省深圳市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/67申请日:20241207
2025-11-21	授权	授权
2025-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

单晶半导体晶圆测量系统及方法 [P].

马砚忠 ;

骆荣辉 ;

陈治均 ;

崔建华 ;

白园园 ;

陈鲁 .

中国专利 :CN119833433A ,2025-04-15

[2]

半导体晶圆及测量半导体晶圆的方法 [P].

陈慕辰 .

中国专利 :CN120784174A ,2025-10-14

[3]

单晶晶锭、半导体晶圆以及制造半导体晶圆的方法 [P].

J·弗伦德 ;

H·奥弗纳 ;

H-J·舒尔策 .

中国专利 :CN106449361B ,2017-02-22

[4]

半导体晶圆制造系统及制造半导体晶圆的方法 [P].

陈哲夫 ;

洪伟华 .

中国专利 :CN113555310A ,2021-10-26

[5]

半导体晶圆加工系统及加工半导体晶圆的方法 [P].

苏奕龙 ;

廖见桂 ;

李荣伟 .

中国专利 :CN109817545A ,2019-05-28

[6]

半导体晶圆制造系统及制造半导体晶圆的方法 [P].

陈哲夫 ;

洪伟华 .

中国专利 :CN113555310B ,2025-01-07

[7]

单晶硅半导体晶圆 [P].

G·皮奇 ;

P·威斯纳 .

中国专利 :CN214026490U ,2021-08-24

[8]

半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

柳井凉一 .

日本专利 :CN120731491A ,2025-09-30

[9]

半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

铃木温 .

日本专利 :CN119278499A ,2025-01-07

[10]

半导体晶圆及半导体晶圆的研磨方法 [P].

吉田拓 ;

栗田英树 .

中国专利 :CN109689946A ,2019-04-26

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