共 50 条
[11]
[12]
[13]
[14]
[15]
[16]
[17]
[18]
[19]
[20]
半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410565266.4
申请日：
2024-05-08
公开(公告)号：
CN120957471A
公开(公告)日：
2025-11-14
发明(设计)人：
张小燕
王劲松
刘赫
陈亮
申请人：
中芯国际集成电路制造（天津）有限公司
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址：
300380 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号
IPC主分类号：
H10D62/10
IPC分类号：
H10D84/83
H10D84/03
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
潘彦君
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
河北省
衡水市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-12-02 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/10申请日:20240508 |
| 2025-11-14 | 公开 | 公开 |