半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910286589.9

申请日：

2019-04-10

公开(公告)号：

CN110034064A

公开(公告)日：

2019-07-19

发明(设计)人：

管斌张东亮陈世杰黄晓橹

申请人：

申请人地址：

223302 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L2348

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20190719
2019-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20190410
2019-07-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

王潇 ;

田志娟 ;

孔云龙 .

中国专利 :CN111613534A ,2020-09-01

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104617093B ,2015-05-13

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

彭裕钧 ;

曹修豪 ;

陈书涵 ;

许昶志 ;

游国丰 ;

陈建豪 ;

尤志豪 ;

张长昀 .

中国专利 :CN113257740A ,2021-08-13

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

王敬 ;

郭磊 ;

王巍 .

中国专利 :CN102683345A ,2012-09-19

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

雒曲 ;

谢文浩 .

中国专利 :CN113690185A ,2021-11-23

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

彭裕钧 ;

曹修豪 ;

陈书涵 ;

许昶志 ;

游国丰 ;

陈建豪 ;

尤志豪 ;

张长昀 .

中国专利 :CN113257740B ,2025-09-26

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

王巍 ;

王敬 ;

郭磊 .

中国专利 :CN102683385B ,2012-09-19

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

章恒嘉 .

中国专利 :CN114334866A ,2022-04-12

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