半导体结构及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202210030628.0

申请日：

2022-01-12

公开(公告)号：

CN114334866A

公开(公告)日：

2022-04-12

发明(设计)人：

章恒嘉

申请人：

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L2338

IPC分类号：

H01L3532 H01L3534

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

高德志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/38 申请日:20220112
2022-04-12	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

管斌 ;

张东亮 ;

陈世杰 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN110034064A ,2019-07-19

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

王潇 ;

田志娟 ;

孔云龙 .

中国专利 :CN111613534A ,2020-09-01

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104617093B ,2015-05-13

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

彭裕钧 ;

曹修豪 ;

陈书涵 ;

许昶志 ;

游国丰 ;

陈建豪 ;

尤志豪 ;

张长昀 .

中国专利 :CN113257740A ,2021-08-13

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

王敬 ;

郭磊 ;

王巍 .

中国专利 :CN102683345A ,2012-09-19

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

雒曲 ;

谢文浩 .

中国专利 :CN113690185A ,2021-11-23

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

彭裕钧 ;

曹修豪 ;

陈书涵 ;

许昶志 ;

游国丰 ;

陈建豪 ;

尤志豪 ;

张长昀 .

中国专利 :CN113257740B ,2025-09-26

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

王巍 ;

王敬 ;

郭磊 .

中国专利 :CN102683385B ,2012-09-19

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