半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210161402.0

申请日：

2012-05-22

公开(公告)号：

CN102683345A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

王敬郭磊王巍

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084-82信箱

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张大威

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-19	公开	公开
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346529306 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2012101614020 申请日:20120522
2015-04-15	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

王巍 ;

王敬 ;

郭磊 .

中国专利 :CN102683385B ,2012-09-19

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

王巍 ;

王敬 ;

郭磊 .

中国专利 :CN102683388A ,2012-09-19

[3]

一种半导体结构及其形成方法 [P].

王敬 ;

郭磊 ;

王巍 .

中国专利 :CN102751231A ,2012-10-24

[4]

半导体结构及其形成方法和半导体器件 [P].

张志伟 .

中国专利 :CN113539944A ,2021-10-22

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

管斌 ;

张东亮 ;

陈世杰 ;

黄晓橹 .

中国专利 :CN110034064A ,2019-07-19

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

王潇 ;

田志娟 ;

孔云龙 .

中国专利 :CN111613534A ,2020-09-01

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104617093B ,2015-05-13

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655253B ,2016-06-08

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN105655398A ,2016-06-08

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

石哲齐 ;

温伟源 ;

杨固峰 ;

廖思雅 .

中国专利 :CN118712200A ,2024-09-27

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