一种MOSFET功率模块结温和热阻的测量方法及系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511275293.9

申请日：

2025-09-08

公开(公告)号：

CN120993160A

公开(公告)日：

2025-11-21

发明(设计)人：

崔潆心巩守来徐现刚韩吉胜

申请人：

山东大学

申请人地址：

250100 山东省济南市历城区山大南路27号

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01N25/20 G01K13/00

代理机构：

济南圣达知识产权代理有限公司 37221

代理人：

赵菲菲

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20250908
2025-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

一种测量MOSFET功率模块热阻的装置和方法 [P].

吕贤亮 ;

黄东巍 ;

郭春生 ;

王宝友 ;

张玉芹 ;

周钦沅 ;

高立 ;

闫美存 ;

赵雅君 ;

侯小利 .

中国专利 :CN111257718A ,2020-06-09

[2]

一种测量MOSFET功率模块热阻的装置 [P].

吕贤亮 ;

黄东巍 ;

郭春生 ;

王宝友 ;

张玉芹 ;

周钦沅 ;

高立 ;

闫美存 ;

赵雅君 ;

侯小利 .

中国专利 :CN212622912U ,2021-02-26

[3]

一种表征SiC MOSFET功率器件结温和热阻的方法 [P].

陈凡 ;

孔泽斌 ;

张丹 ;

琚安安 ;

刘元 ;

王昆黍 ;

祝伟明 ;

余学峰 ;

郭旗 .

中国专利 :CN117723921A ,2024-03-19

[4]

一种不受老化影响的MOSFET功率模块结温在线测量方法及装置 [P].

郑丹 ;

温旭辉 ;

仇志杰 ;

宁圃奇 ;

范涛 .

中国专利 :CN118191545A ,2024-06-14

[5]

一种SiC功率模块热阻测量方法 [P].

何智鹏 ;

李巍巍 ;

许树楷 .

中国专利 :CN112098797B ,2020-12-18

[6]

SiC MOSFET的结温测量方法 [P].

陈媛 ;

陈义强 ;

贺致远 ;

侯波 ;

刘昌 .

中国专利 :CN111707917A ,2020-09-25

[7]

一种IGBT结壳热阻的测量方法 [P].

董少华 ;

朱阳军 ;

陆江 ;

王任卿 ;

佘超群 .

中国专利 :CN103852483A ,2014-06-11

[8]

压接式功率半导体器件结壳热阻的测量方法 [P].

王彦刚 ;

齐放 ;

李贺龙 ;

王亚飞 ;

李道会 ;

戴小平 ;

刘国友 .

中国专利 :CN110715952A ,2020-01-21

[9]

一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具 [P].

邓二平 ;

张朋 ;

赵志斌 ;

黄永章 .

中国专利 :CN105806887A ,2016-07-27

[10]

一种双面散热模块的结壳热阻测量方法和装置 [P].

梁琳 ;

涂刘煜 .

中国专利 :CN120427685A ,2025-08-05

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