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パターニングされた酸化物膜の形成方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240046484
申请日
:
2024-03-22
公开(公告)号
:
JP2025145955A
公开(公告)日
:
2025-10-03
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L21/306
IPC分类号
:
G03F7/20
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
複合酸化物パターンの形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2025134377A
,2025-09-17
[2]
金属酸化物含有膜形成用組成物及びパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5756134B2
,2015-07-29
[3]
スパッタリング装置及びIn金属酸化物膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2012057108A1
,2014-05-12
[4]
パターニングされた金属酸化物フォトレジストの線量減少[ja]
[P].
日本专利
:JP7524303B2
,2024-07-29
[5]
パターニングされた金属酸化物フォトレジストの線量減少[ja]
[P].
日本专利
:JP2022542170A
,2022-09-29
[6]
パターニングされた導電基材の製造方法、これによってパターニングされた導電基材およびタッチパネル[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2013176155A1
,2016-01-14
[7]
テーパ付けされた酸化物の堆積/エッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP6185062B2
,2017-08-23
[8]
テーパ付けされた酸化物の堆積/エッチング[ja]
[P].
日本专利
:JP2015529017A
,2015-10-01
[9]
In金属酸化物膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5730326B2
,2015-06-10
[10]
シリコン酸化物含有膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5631958B2
,2014-11-26
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