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スパッタリング装置及びIn金属酸化物膜の形成方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20120540861
申请日
:
2011-10-25
公开(公告)号
:
JPWO2012057108A1
公开(公告)日
:
2014-05-12
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C23C14/34
IPC分类号
:
C23C14/58
H01L33/42
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
In金属酸化物膜の形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5730326B2
,2015-06-10
[2]
酸化物スパッタリングターゲット及び酸化物膜[ja]
[P].
日本专利
:JP7761813B2
,2025-10-28
[3]
スパッタリング方法及びスパッタリング装置[ja]
[P].
MIURA TOSHINORI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MEIDEN NANOPROCESS INNOVATIONS INC
MEIDEN NANOPROCESS INNOVATIONS INC
MIURA TOSHINORI
;
HANAKURA MITSURU
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
MEIDEN NANOPROCESS INNOVATIONS INC
MEIDEN NANOPROCESS INNOVATIONS INC
HANAKURA MITSURU
.
日本专利
:JP2024001428A
,2024-01-10
[4]
酸化物スパッタリングターゲット、及び、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7028268B2
,2022-03-02
[5]
酸化物スパッタリングターゲット、及び酸化物スパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP6414165B2
,2018-10-31
[6]
In・Sm酸化物系スパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007010702A1
,2009-01-29
[7]
In−Ga−Zn系酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5705642B2
,2015-04-22
[8]
酸化物スパッタリングターゲット、および、酸化物スパッタリングターゲットの製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2022105853A
,2022-07-15
[9]
金属酸化物含有膜形成用組成物及びパターン形成方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5756134B2
,2015-07-29
[10]
酸化物材料、及びスパッタリングターゲット[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2007034749A1
,2009-03-26
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