半导体功率器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511110029.X

申请日：

2025-08-08

公开(公告)号：

CN120957475A

公开(公告)日：

2025-11-14

发明(设计)人：

孙思瑶汪旭东

申请人：

芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司

申请人地址：

312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号

IPC主分类号：

H10D64/01

IPC分类号：

H10D64/62 H10D62/10

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

赵素香

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 64/01申请日:20250808
2025-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体功率器件及其制作方法 [P].

朱辉 ;

肖秀光 ;

吴海平 .

中国专利 :CN108933167B ,2018-12-04

[2]

半导体功率器件及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054195A ,2018-05-18

[3]

半导体功率器件及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110041A ,2018-06-01

[4]

半导体功率器件及其制作方法 [P].

林永发 ;

张家豪 .

中国专利 :CN104078502A ,2014-10-01

[5]

半导体功率器件及其制作方法 [P].

吴毅锋 ;

曾凡明 ;

高吴昊 .

中国专利 :CN117976540A ,2024-05-03

[6]

半导体功率器件及其制作方法 [P].

钟树理 ;

陈宇 .

中国专利 :CN109243979B ,2019-01-18

[7]

功率半导体器件及其制作方法 [P].

钟圣荣 ;

王根毅 ;

邓小社 ;

周宏伟 .

中国专利 :CN104347628B ,2015-02-11

[8]

半导体功率器件及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108110044A ,2018-06-01

[9]

半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108039361A ,2018-05-15

[10]

半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107994067A ,2018-05-04

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