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反熔丝存储器及其编程方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410626943.9
申请日
:
2024-05-20
公开(公告)号
:
CN120998279A
公开(公告)日
:
2025-11-21
发明(设计)人
:
王浩
郭术明
张楠
徐勐
龚才
鲜开诚
李鹏渤
聂筱敏
杜一贺
彭莉
刘俊良
申请人
:
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址
:
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
IPC主分类号
:
G11C17/18
IPC分类号
:
G11C17/16
G11C7/10
G11C7/12
代理机构
:
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
:
虞凌霄
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
河北省 保定市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-12-09
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):G11C 17/18申请日:20240520
2025-11-21
公开
公开
共 50 条
[1]
反熔丝存储器
[P].
葛西秀男
论文数:
0
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0
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
葛西秀男
;
谷口泰弘
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
谷口泰弘
;
川嶋泰彦
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
川嶋泰彦
;
樱井良多郎
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
樱井良多郎
;
品川裕
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
品川裕
;
户谷达郎
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
户谷达郎
;
山口贵德
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
山口贵德
;
大和田福夫
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
大和田福夫
;
吉田信司
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
吉田信司
;
畑田辉男
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
畑田辉男
;
野田敏史
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
野田敏史
;
加藤贵文
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
加藤贵文
;
村谷哲也
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
村谷哲也
;
奥山幸祐
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机构:
株式会社佛罗迪亚
株式会社佛罗迪亚
奥山幸祐
.
日本专利
:CN111987101B
,2024-08-02
[2]
反熔丝存储器
[P].
葛西秀男
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葛西秀男
;
谷口泰弘
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谷口泰弘
;
川嶋泰彦
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川嶋泰彦
;
樱井良多郎
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樱井良多郎
;
品川裕
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品川裕
;
户谷达郎
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户谷达郎
;
山口贵德
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山口贵德
;
大和田福夫
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大和田福夫
;
吉田信司
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吉田信司
;
畑田辉男
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畑田辉男
;
野田敏史
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野田敏史
;
加藤贵文
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加藤贵文
;
村谷哲也
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村谷哲也
;
奥山幸祐
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奥山幸祐
.
中国专利
:CN111987101A
,2020-11-24
[3]
反熔丝存储器及其控制方法
[P].
季汝敏
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
季汝敏
.
中国专利
:CN116343874B
,2025-07-11
[4]
反熔丝器件及其存储器
[P].
胡嘉伦
论文数:
0
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
胡嘉伦
.
中国专利
:CN119170080A
,2024-12-20
[5]
反熔丝器件及其存储器
[P].
胡嘉伦
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
胡嘉伦
.
中国专利
:CN119170080B
,2025-09-19
[6]
反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器
[P].
任雪
论文数:
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机构:
东芯半导体股份有限公司
东芯半导体股份有限公司
任雪
.
中国专利
:CN119889403A
,2025-04-25
[7]
反熔丝存储单元及其制造方法、反熔丝OTP存储器
[P].
黄础熠
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
黄础熠
;
刘雯
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
刘雯
;
胡晓明
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机构:
上海华力集成电路制造有限公司
上海华力集成电路制造有限公司
胡晓明
.
中国专利
:CN120730735A
,2025-09-30
[8]
反熔丝电路、结构、阵列、编程方法及存储器
[P].
侯闯明
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机构:
长鑫存储技术有限公司
长鑫存储技术有限公司
侯闯明
.
中国专利
:CN117854565A
,2024-04-09
[9]
反熔丝存储器单元
[P].
沃德克·库尔贾诺韦茨
论文数:
0
引用数:
0
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0
沃德克·库尔贾诺韦茨
.
中国专利
:CN105849861A
,2016-08-10
[10]
反熔丝阵列结构、编程方法、读取方法及存储器
[P].
侯闯明
论文数:
0
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0
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0
侯闯明
.
中国专利
:CN115101504A
,2022-09-23
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