一种含氮化钛的氮化硅陶瓷基板制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511017838.6

申请日：

2025-07-23

公开(公告)号：

CN120794656A

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

朱焰焰胡晓静李华杨张峥郑杰陈士冰李德善

申请人：

天诺光电材料股份有限公司

申请人地址：

250119 山东省济南市天桥区新材料产业园区裕兴路517号

IPC主分类号：

C04B35/78

IPC分类号：

C04B35/584 C04B35/622 C04B35/638 C04B35/64 C04B41/87 C04B37/02

代理机构：

济南日新专利代理事务所(普通合伙) 37224

代理人：

董庆田

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化硅陶瓷基板的制备方法、氮化硅陶瓷基板 [P].

杨晓冬 ;

冼锐炜 .

中国专利 :CN120349192A ,2025-07-22

[2]

氮化硅陶瓷浆料、氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

杨晓冬 .

中国专利 :CN117776739A ,2024-03-29

[3]

一种氮化硅陶瓷基板的制备方法 [P].

黄荣厦 ;

李文杰 ;

吴有亮 ;

叶顺达 ;

林华泰 .

中国专利 :CN106631039A ,2017-05-10

[4]

氮化硅陶瓷及其制备方法 [P].

颜井意 ;

蔡安澜 ;

杜建周 ;

史媛玉 .

中国专利 :CN108409336A ,2018-08-17

[5]

一种氮化硅基板的制备方法及氮化硅基板 [P].

罗贵成 ;

李成安 ;

杨世兵 ;

詹磊 ;

胡桐滔 .

中国专利 :CN120664885A ,2025-09-19

[6]

氮化硅/氮化硼纳米带复合陶瓷基板的制备方法 [P].

朱焰焰 ;

胡晓静 ;

李华杨 ;

张峥 ;

郑杰 ;

陈士冰 ;

李德善 .

中国专利 :CN120794644A ,2025-10-17

[7]

氮化硅陶瓷基板生坯及其制备方法、陶瓷基板 [P].

黄荣厦 ;

吴建波 ;

刘超华 ;

林华泰 .

中国专利 :CN113773092A ,2021-12-10

[8]

一种氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

李镔 ;

陈波 ;

韦中华 ;

张伟儒 ;

王子诚 ;

牛爱新 .

中国专利 :CN113620716B ,2021-11-09

[9]

氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

林信平 ;

江品颐 ;

杨伟强 ;

吴伟鹏 .

中国专利 :CN117800741A ,2024-04-02

[10]

高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法 [P].

陈颖豪 .

中国专利 :CN112159236A ,2021-01-01

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