半导体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510837051.8

申请日：

2025-06-19

公开(公告)号：

CN120358785B

公开(公告)日：

2025-10-17

发明(设计)人：

张珉硕王力邓湛川唐杰郭明瑶

申请人：

重庆欣晖材料技术有限公司

申请人地址：

400000 重庆市江北区鱼嘴镇长美一支路18号

IPC主分类号：

H10D62/832

IPC分类号：

H10D62/00 H10D62/40 H01L21/02

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

任会会;吴素花

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	授权	授权
2025-07-22	公开	公开
2025-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/832申请日:20250619

共 50 条

[1]

半导体材料及其制备方法 [P].

邓湛川 ;

唐杰 ;

郭明瑶 ;

张珉硕 ;

王力 .

中国专利 :CN121099676A ,2025-12-09

[2]

半导体材料及其制备方法 [P].

张珉硕 ;

王力 ;

邓湛川 ;

唐杰 ;

郭明瑶 .

中国专利 :CN120358785A ,2025-07-22

[3]

无机半导体材料及其制备方法 [P].

何斯纳 ;

吴龙佳 ;

吴劲衡 .

中国专利 :CN112349850A ,2021-02-09

[4]

半导体材料及其制备方法和应用 [P].

寇煦丰 ;

汤辰佳 ;

李家明 ;

杜鹏 ;

方铉 .

中国专利 :CN113097054A ,2021-07-09

[5]

半导体材料及其制备方法和应用 [P].

郑淑 ;

黄福林 ;

刘远宏 .

中国专利 :CN104752535A ,2015-07-01

[6]

含锡半导体材料及其制备方法 [P].

米启兮 ;

姚琪舜 ;

张莹玥 .

中国专利 :CN111470528A ,2020-07-31

[7]

半导体材料及其制备方法和应用 [P].

寇煦丰 ;

汤辰佳 ;

李家明 ;

杜鹏 ;

方铉 .

中国专利 :CN113097054B ,2024-04-09

[8]

半导体材料及其制备方法和用途 [P].

A·法凯蒂 ;

陈志华 ;

F·德兹 ;

M·卡斯特勒 ;

T·J·马克斯 ;

颜河 ;

郑焱 .

中国专利 :CN102066373A ,2011-05-18

[9]

半导体材料及其制造方法 [P].

杰弗里·博阿德曼 .

中国专利 :CN101208450B ,2008-06-25

[10]

一种半导体材料及其制备方法 [P].

王艳宁 ;

佟亮 ;

万敏 ;

刘静苑 ;

曹龙文 ;

陈立庄 .

中国专利 :CN113929586A ,2022-01-14

← 1 2 3 4 5 →