半导体材料及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680022847.3

申请日：

2006-05-12

公开(公告)号：

CN101208450B

公开(公告)日：

2008-06-25

发明(设计)人：

杰弗里·博阿德曼

申请人：

申请人地址：

英国柴郡

IPC主分类号：

C23C810

IPC分类号：

C23C410

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

康建忠

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-24	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101615167183 IPC(主分类):C23C 8/10 专利号:ZL2006800228473 申请日:20060512 授权公告日:20120815 终止日期:20140512
2008-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-08-15	授权	授权
2008-06-25	公开	公开

共 50 条

[1]

热电半导体材料及其制造方法 [P].

太田稔智 ;

吉泽广喜 ;

藤田浩一 ;

今井功 ;

东松刚 ;

西池氏裕 .

中国专利 :CN1816919B ,2006-08-09

[2]

p型金属氧化物半导体材料及其制造方法 [P].

邱显浩 ;

周子琪 ;

黄琼慧 ;

谢玉慈 .

中国专利 :CN104810387A ,2015-07-29

[3]

纳米多孔半导体材料及其制造 [P].

杰弗里·格罗斯曼 ;

布伦丹·德里克·史密斯 ;

亚廷·贾耶什·帕蒂尔 ;

尼古拉·费尔拉利什 .

中国专利 :CN109072451A ,2018-12-21

[4]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

中国专利 :CN111373515A ,2020-07-03

[5]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

日本专利 :CN111373515B ,2024-03-05

[6]

半导体材料及半导体装置 [P].

国武宽司 ;

长塚修平 .

日本专利 :CN111742408B ,2024-05-28

[7]

半导体材料及半导体装置 [P].

国武宽司 ;

长塚修平 .

中国专利 :CN111742408A ,2020-10-02

[8]

用于半导体陶瓷材料的制造方法、半导体材料及半导体元件 [P].

克里斯蒂安·皮萨安 ;

哈约托·卡兹 ;

温妮·瓦塞尔 ;

尤尔根·多恩赛弗尔 .

中国专利 :CN103688319B ,2014-03-26

[9]

半导体材料及其制备方法 [P].

邓湛川 ;

唐杰 ;

郭明瑶 ;

张珉硕 ;

王力 .

中国专利 :CN121099676A ,2025-12-09

[10]

半导体材料及其制备方法 [P].

张珉硕 ;

王力 ;

邓湛川 ;

唐杰 ;

郭明瑶 .

中国专利 :CN120358785A ,2025-07-22

← 1 2 3 4 5 →