纳米多孔半导体材料及其制造

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780017477.2

申请日：

2017-03-17

公开(公告)号：

CN109072451A

公开(公告)日：

2018-12-21

发明(设计)人：

杰弗里·格罗斯曼布伦丹·德里克·史密斯亚廷·贾耶什·帕蒂尔尼古拉·费尔拉利什

申请人：

申请人地址：

美国马萨诸塞州

IPC主分类号：

C23F100

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;顾晋伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-03	授权	授权
2019-01-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23F 1/00 申请日:20170317

共 50 条

[1]

多孔和纳米多孔半导体材料及其制造 [P].

布伦丹·德里克·史密斯 ;

杰弗里·C·格罗斯曼 .

美国专利 :CN111937120B ,2025-09-05

[2]

多孔和纳米多孔半导体材料及其制造 [P].

布伦丹·德里克·史密斯 ;

杰弗里·C·格罗斯曼 .

中国专利 :CN111937120A ,2020-11-13

[3]

半导体材料及其制造方法 [P].

杰弗里·博阿德曼 .

中国专利 :CN101208450B ,2008-06-25

[4]

热电半导体材料及其制造方法 [P].

太田稔智 ;

吉泽广喜 ;

藤田浩一 ;

今井功 ;

东松刚 ;

西池氏裕 .

中国专利 :CN1816919B ,2006-08-09

[5]

多孔半导体材料 [P].

L·T·坎汉姆 .

中国专利 :CN1142875A ,1997-02-12

[6]

半导体材料及层叠半导体材料 [P].

福原干夫 ;

桥田俊之 ;

横塚知典 .

日本专利 :CN118923231A ,2024-11-08

[7]

半导体纳米材料 [P].

D·莫卡塔 ;

A·霍尔茨曼 ;

N·利迪希 ;

Y·尼森霍尔茨 .

中国专利 :CN110352229A ,2019-10-18

[8]

用于半导体陶瓷材料的制造方法、半导体材料及半导体元件 [P].

克里斯蒂安·皮萨安 ;

哈约托·卡兹 ;

温妮·瓦塞尔 ;

尤尔根·多恩赛弗尔 .

中国专利 :CN103688319B ,2014-03-26

[9]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

中国专利 :CN111373515A ,2020-07-03

[10]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

日本专利 :CN111373515B ,2024-03-05

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