半导体材料及层叠半导体材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380033320.4

申请日：

2023-02-13

公开(公告)号：

CN118923231A

公开(公告)日：

2024-11-08

发明(设计)人：

福原干夫桥田俊之横塚知典

申请人：

国立大学法人东北大学

申请人地址：

日本宫城县

IPC主分类号：

H10K85/10

IPC分类号：

B82Y30/00 C08B15/08 D01F2/00 H01L21/822 H01L27/04 H01L29/06 H10K10/10

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

田凌宇;陈玉净

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	公开	公开
2025-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10K 85/10申请日:20230213

共 50 条

[1]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

日本专利 :CN111373515B ,2024-03-05

[2]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

中国专利 :CN111373515A ,2020-07-03

[3]

半导体材料及半导体装置 [P].

国武宽司 ;

长塚修平 .

日本专利 :CN111742408B ,2024-05-28

[4]

半导体材料及半导体装置 [P].

国武宽司 ;

长塚修平 .

中国专利 :CN111742408A ,2020-10-02

[5]

用于半导体陶瓷材料的制造方法、半导体材料及半导体元件 [P].

克里斯蒂安·皮萨安 ;

哈约托·卡兹 ;

温妮·瓦塞尔 ;

尤尔根·多恩赛弗尔 .

中国专利 :CN103688319B ,2014-03-26

[6]

半导体材料 [P].

野口隆 ;

池田裕司 .

中国专利 :CN1127754C ,1999-07-21

[7]

半导体材料 [P].

门诺·卡珀斯 ;

朱丹丹 .

中国专利 :CN104813441A ,2015-07-29

[8]

半导体材料以及采用该半导体材料的半导体元件 [P].

柳田裕昭 ;

川副博司 ;

折田政宽 .

中国专利 :CN1918716A ,2007-02-21

[9]

半导体材料加工设备及半导体材料加工方法 [P].

宋婉贞 ;

黄卫国 ;

武震 ;

张永昌 ;

郑佳晶 ;

陈国兴 ;

田世伟 ;

谭立杰 .

中国专利 :CN111584403A ,2020-08-25

[10]

有机半导体材料及使用该材料的有机半导体元件 [P].

塚本遵 ;

真多淳二 .

中国专利 :CN1300254C ,2004-12-29

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