用于半导体陶瓷材料的制造方法、半导体材料及半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280023571.6

申请日：

2012-05-16

公开(公告)号：

CN103688319B

公开(公告)日：

2014-03-26

发明(设计)人：

克里斯蒂安·皮萨安哈约托·卡兹温妮·瓦塞尔尤尔根·多恩赛弗尔

申请人：

申请人地址：

德国于利希

IPC主分类号：

H01C702

IPC分类号：

C04B3546

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

谢顺星;张晶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581673906 IPC(主分类):H01C 7/02 专利申请号:2012800235716 申请日:20120516
2017-03-01	授权	授权
2014-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体陶瓷材料 [P].

胜勇人 .

中国专利 :CN101687714B ,2010-03-31

[2]

钛酸钡系半导体陶瓷材料及制造方法 [P].

陈晰 ;

陈昂 ;

智宇 .

中国专利 :CN1046516A ,1990-10-31

[3]

半导体材料以及采用该半导体材料的半导体元件 [P].

柳田裕昭 ;

川副博司 ;

折田政宽 .

中国专利 :CN1918716A ,2007-02-21

[4]

半导体材料及层叠半导体材料 [P].

福原干夫 ;

桥田俊之 ;

横塚知典 .

日本专利 :CN118923231A ,2024-11-08

[5]

有机半导体材料及使用该材料的有机半导体元件 [P].

塚本遵 ;

真多淳二 .

中国专利 :CN1300254C ,2004-12-29

[6]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

日本专利 :CN111373515B ,2024-03-05

[7]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

中国专利 :CN111373515A ,2020-07-03

[8]

半导体材料及半导体装置 [P].

国武宽司 ;

长塚修平 .

日本专利 :CN111742408B ,2024-05-28

[9]

半导体材料及半导体装置 [P].

国武宽司 ;

长塚修平 .

中国专利 :CN111742408A ,2020-10-02

[10]

半导体元件保护用材料及半导体装置 [P].

西村贵史 ;

前中宽 ;

小林佑辅 ;

中村秀 ;

青山卓司 ;

金千鹤 .

中国专利 :CN105849187A ,2016-08-10

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