半导体材料及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980008397.X

申请日：

2019-01-17

公开(公告)号：

CN111742408A

公开(公告)日：

2020-10-02

发明(设计)人：

国武宽司长塚修平

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

G02F11368 H01L21336 H01L21822 H01L218234 H01L218242 H01L2704 H01L27088 H01L27108 H01L271156 H01L29786 H01L2732 H01L29788 H01L29792 H01L5150 H05B3314

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

贾成功

法律状态：

公开

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体材料及半导体装置 [P].

国武宽司 ;

长塚修平 .

日本专利 :CN111742408B ,2024-05-28

[2]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

日本专利 :CN111373515B ,2024-03-05

[3]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

中国专利 :CN111373515A ,2020-07-03

[4]

氧化物半导体靶和氧化物半导体材料及半导体装置 [P].

若菜裕纪 ;

内山博幸 ;

福岛英子 .

中国专利 :CN103579360A ,2014-02-12

[5]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

加藤清 .

中国专利 :CN102804360A ,2012-11-28

[6]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

加藤清 .

中国专利 :CN104022115A ,2014-09-03

[7]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

加藤清 .

中国专利 :CN105789204B ,2016-07-20

[8]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

加藤清 .

中国专利 :CN102714208A ,2012-10-03

[9]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

加藤清 .

中国专利 :CN102612741B ,2012-07-25

[10]

半导体装置 [P].

林俊亨 ;

金宰范 ;

孙暻锡 ;

林志勋 .

中国专利 :CN108511459A ,2018-09-07

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-02	公开	公开
2021-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20190117