半导体材料及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880075796.3

申请日：

2018-11-15

公开(公告)号：

CN111373515A

公开(公告)日：

2020-07-03

发明(设计)人：

山崎舜平三本菅正太山根靖正远藤佑太奥野直树

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

H01L21363

IPC分类号：

C23C1408 H01L218242 H01L27108 H01L271156 H01L29786 H01L21336 H01L29788 H01L29792

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

童春媛;李志强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-03	公开	公开
2020-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/363 申请日:20181115

共 50 条

[1]

半导体材料及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

三本菅正太 ;

山根靖正 ;

远藤佑太 ;

奥野直树 .

日本专利 :CN111373515B ,2024-03-05

[2]

半导体材料及半导体装置 [P].

国武宽司 ;

长塚修平 .

日本专利 :CN111742408B ,2024-05-28

[3]

半导体材料及半导体装置 [P].

国武宽司 ;

长塚修平 .

中国专利 :CN111742408A ,2020-10-02

[4]

半导体材料及层叠半导体材料 [P].

福原干夫 ;

桥田俊之 ;

横塚知典 .

日本专利 :CN118923231A ,2024-11-08

[5]

氧化物半导体靶和氧化物半导体材料及半导体装置 [P].

若菜裕纪 ;

内山博幸 ;

福岛英子 .

中国专利 :CN103579360A ,2014-02-12

[6]

半导体元件保护用材料及半导体装置 [P].

西村贵史 ;

前中宽 ;

小林佑辅 ;

中村秀 ;

青山卓司 ;

金千鹤 .

中国专利 :CN105849187A ,2016-08-10

[7]

半导体装置结构及半导体装置 [P].

高韵峯 ;

姜慧如 .

中国专利 :CN222424606U ,2025-01-28

[8]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

加藤清 .

中国专利 :CN102804360A ,2012-11-28

[9]

半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

小山润 ;

加藤清 .

中国专利 :CN104022115A ,2014-09-03

[10]

半导体装置 [P].

李全一 ;

李周昊 ;

李炅奂 ;

严祥训 .

韩国专利 :CN120343907A ,2025-07-18

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