半导体材料以及采用该半导体材料的半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580004088.3

申请日：

2005-02-03

公开(公告)号：

CN1918716A

公开(公告)日：

2007-02-21

发明(设计)人：

柳田裕昭川副博司折田政宽

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司

代理人：

黄纶伟

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101603733696 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005800040883 申请日:20050203 授权公告日:20080709 终止日期:20140203
2008-07-09	授权	授权
2007-02-21	公开	公开
2007-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

有机半导体材料及使用该材料的有机半导体元件 [P].

塚本遵 ;

真多淳二 .

中国专利 :CN1300254C ,2004-12-29

[2]

用于半导体元件的保护材料、设有该保护材料的半导体元件和设有该半导体元件的半导体器件 [P].

盐冢秀则 ;

森隆弘 ;

片冈一郎 ;

山田聪 ;

小森绫子 .

中国专利 :CN1158880A ,1997-09-10

[3]

半导体元件及采用该半导体元件的装置 [P].

片冈耕太郎 ;

岩田浩 ;

太田佳似 ;

木本贤治 ;

小宫健治 ;

足立浩一郎 ;

柴田晃秀 ;

原田真臣 .

中国专利 :CN101425541B ,2009-05-06

[4]

用于半导体陶瓷材料的制造方法、半导体材料及半导体元件 [P].

克里斯蒂安·皮萨安 ;

哈约托·卡兹 ;

温妮·瓦塞尔 ;

尤尔根·多恩赛弗尔 .

中国专利 :CN103688319B ,2014-03-26

[5]

半导体装置以及半导体元件保护用材料 [P].

西村贵史 ;

前中宽 ;

中村秀 ;

青山卓司 ;

小林祐辅 .

中国专利 :CN107735859B ,2018-02-23

[6]

半导体装置以及半导体元件保护用材料 [P].

西村贵史 ;

前中宽 ;

中村秀 ;

青山卓司 ;

小林祐辅 .

中国专利 :CN111900137A ,2020-11-06

[7]

半导体生长用基板、半导体元件、半导体发光元件以及半导体元件制造方法 [P].

大长久芳 ;

神野大树 .

中国专利 :CN112236874A ,2021-01-15

[8]

半导体元件和包括该半导体元件的半导体元件封装 [P].

成演准 ;

李容京 ;

金珉成 ;

朴修益 .

中国专利 :CN109997234B ,2019-07-09

[9]

半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

本田达也 ;

平石铃之介 ;

金村大志 ;

太田将志 .

中国专利 :CN103123936A ,2013-05-29

[10]

半导体元件以及半导体装置 [P].

小野瑞城 .

中国专利 :CN101483193B ,2009-07-15

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